Defect Physics and Device Characterization 결함 물리 및 소자 특성 분석
KR: 산화물 및 이차원 소재 내 결함을 정량적으로 분석하고, 결함 제어를 통한 소자 성능 향상 전략을 제시.
EN: We quantitatively study defect states in oxides and 2D materials and develop characterization methodologies, including DOS analysis within the bandgap. Defect dynamics under temperature, bias stress, and optical excitation are systematized toward a defect-control database and defect engineering strategies.
Keywords: Characterization method development, DOS analysis inside energy gap, Defect control database, Defect engineering
· 결함 분석을 위한 새로운 전기적 특성 평가 기법 개발
· 에너지 갭 내 DOS (Density of States) 분석
· 온도, 바이어스 스트레스, 광자극에 따른 결함 거동 연구
· 결함 제어 데이터베이스 구축 및 defect engineering